1、单选题：
对于PN结,设P区电位为Up、N区点位为UN,说法正确的是： ( )。
选项：
A:Up≤UN
B:Up>UN
C:Up<UN
D:Up≥UN
答案: 【Up<UN】

2、单选题：
关于PN结内电场的方向,说法正确的是:( )。
选项：
A:由P区指向N区
B:由N区指向P区
C:与外电场相反
D:与外电场相同
答案: 【由N区指向P区】

3、多选题：
当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时,达到动态平衡,形成了一个稳定的空间区域:P区呈负电荷、N区呈正电荷,该区的名称为：（ ） 。
选项：
A:耗尽层
B:势垒
C:PN结
D:空间电荷区
答案: 【耗尽层;
势垒;
PN结;
空间电荷区】

4、判断题：
PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

5、判断题：
由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

6、单选题：
当PN结外加正向电压时,扩散电流( ) 漂移电流。
选项：
A:小于
B:等于
C:大于
答案: 【大于】

7、单选题：
当PN结外加正向电压时,耗尽层( )。
选项：
A:不变
B:变宽
C:变窄
答案: 【变窄】

8、多选题：
当PN结加正向电压(正向偏置)时,
选项：
A:内电场减小
B:内电场增强
C:耗尽层变宽
D:耗尽层变窄
答案: 【内电场减小;
耗尽层变窄】

9、判断题：
当PN结加正向电压(正向偏置)时,PN结内电场减小。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

10、判断题：
当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

11、单选题：
常温下,温度电压当量UT的数值为:( )。
选项：
A:26mV
B:26V
C:260V
D:2.6uV
答案: 【26mV】

12、单选题：
PN结反向电流Is的合理数值为:( )。
选项：
A:mA
B:uA
C:1A
D:100mA
答案: 【uA】

13、单选题：
当PN结加正向电压(正向偏置)时,随着电压增大,电流( ).
选项：
A:越来越快地上升
B:指数式上升
C:对数式上升
D:比例式上升
答案: 【越来越快地上升】

14、多选题：
当PN结加反向电压(反向偏置),如果电压数值达到U(BR),则PN结( ).
选项：
A:产生电击穿
B:反向电流很小
C:会被烧毁
D:反向电流很大
答案: 【产生电击穿;
反向电流很大】

15、判断题：
温度电压当量UT与温度、PN结面积都有关。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

16、判断题：
PN结反向电流Is与温度有关。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

17、判断题：
PN结电流方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

18、单选题：
PN结正向偏置时的结电容( )反向偏置时的结电容:
选项：
A:等于
B:大于
C:小于
答案: 【大于】

19、判断题：
势垒电容、扩散电容与外加电压有关。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

20、多选题：
Multisim提供的虚拟仪器包括：
选项：
A:信号源
B:时频分析仪
C:示波器
D:万用表
答案: 【信号源;
示波器;
万用表】