1、单选题：
对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。
选项：
A:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的
B:PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态
C:雪崩击穿属于电击穿
D:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的
答案: 【齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的】

2、单选题：
2AP9表示的是（ ）。
选项：
A:18世纪60年代到18世纪末
B:18世纪70年代到19世纪中期
C:18世纪30年代到18世纪末
D:18世纪60年代到19世纪上半期
答案: 【18世纪30年代到18世纪末】

3、单选题：
对二极管模型的描述不正确的是（ ）。
选项：
A:二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大
B:二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V
C:二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA
D:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
答案: 【二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关】

4、单选题：
如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
选项：
A:0V
B:-8V
C:-10V
D:-12V
答案: 【0V】

5、单选题：
如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
选项：
A:500Ω，1W
B:600Ω，1W
C:500Ω，1/8W
D:600Ω，1/8W
答案: 【600Ω，1/8W】