1、单选题：
本征硅的费米能级位于：（ ）
选项：
A:略偏向

B:

C:

D:略偏向

答案: 【略偏向
】

2、单选题：
硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（ ）
选项：
A:与磷掺杂硅的导电类型一致
B:硅的晶体结构将发生改变
C:空穴浓度大于电子浓度
D:电子浓度大于空穴浓度
答案: 【空穴浓度大于电子浓度】

3、多选题：
抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。
选项：
A:降低离子注入能量
B:升高衬底温度
C:衬底表面沉积非晶薄膜
D:倾斜衬底
答案: 【升高衬底温度;
衬底表面沉积非晶薄膜;
倾斜衬底】

4、多选题：
制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。
选项：
A:氧化还原法
B:外延生长法
C:区域熔融法
D:直拉法
答案: 【区域熔融法;
直拉法】

5、判断题：
当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】