1、单选题：

如图所示电路是哪种半导体的电路模型。（）

选项：
A:本征半导体
B:P型半导体
C:N型半导体
D:杂质半导体
答案: 【P型半导体】

2、单选题：
当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
选项：
A:不变
B:无法确定
C:增大
D:减小
答案: 【减小】

3、单选题：
当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（   ）。
选项：
A:增大
B:不变
C:减小
D:无法确定
答案: 【增大】

4、单选题：

一场效应管的符号如下所示，它是（   ）。

选项：
A:P沟道增强型
B:P沟道耗尽型
C:N沟道增强型
D:N沟道耗尽型
答案: 【N沟道耗尽型】

5、多选题：
时，能够工作在恒流区的场效应管有（   ）。
选项：
A:P沟道增强型MOS管
B:N沟道增强型MOS管
C:结型场效应管
D:N沟道耗尽型MOS管
答案: 【结型场效应管;
N沟道耗尽型MOS管】

6、判断题：
在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

7、判断题：
本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

8、判断题：
PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

9、判断题：
因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

10、单选题：
三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。
选项：
A:发射结正偏，集电结也正偏
B:发射结反偏，集电结也反偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结正偏，集电结反偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】