第二讲作业

1、单选题：
​VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：‏
选项：
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】

2、多选题：
‌在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？‍
选项：
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】

3、判断题：
‌如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‍外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长      薄膜。‎
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】

5、填空题：
​VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在        完成的分解。‍​可从下面选择：‍​气相‍​硅片表面‍​n-/n+Si界面‍
答案: 【 硅片表面】

第三讲作业

1、单选题：
‏通常掩膜氧化采用的工艺方法为：