【课前测试】第1次课

1、单选题：
‎电力二极管属于哪一类型的器件？‎
选项：
A: 不控型器件
B: 半控型器件
C: 全控型器件
D: 不知道
答案: 【 不控型器件】

2、多选题：
‌电力电子技术的研究内容包括：（）​
选项：
A: 信息电子技术
B: 电力电子器件
C: 电力电子变换技术
D: 电力电子控制技术
答案: 【 电力电子器件;
电力电子变换技术;
电力电子控制技术】

3、多选题：
​新型电力电子器件不断出现，使电力电子技术具有如下突出的特点：（）‌
选项：
A: 全控化、集成化
B: 高频化、小型化
C: 高功率因数
D: 控制技术数字化
答案: 【 全控化、集成化;
高频化、小型化;
高功率因数;
控制技术数字化】

4、多选题：
‏下列关于电力电子技术的说法，正确的是：（）‍
选项：
A: 与信息电子技术相比，电力电子技术所使用的器件功率更大。
B: 电力电子技术的核心是变流技术。
C: 可以说，电力电子技术研究的就是电源技术。
D: 电力电子技术是弱点控制强电的技术，是弱电与强电之间的接口技术。
答案: 【 与信息电子技术相比，电力电子技术所使用的器件功率更大。;
电力电子技术的核心是变流技术。;
可以说，电力电子技术研究的就是电源技术。;
电力电子技术是弱点控制强电的技术，是弱电与强电之间的接口技术。】

5、判断题：
‎电力电子技术即应用于电力领域的技术，是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

【课前测试】第2次课

1、单选题：
​通常情况下，电力电子器件的功率损耗主要为（）。‎​‎
选项：
A: 通态损耗
B: 断态损耗
C: 开通损耗
D: 关断损耗
答案: 【 通态损耗】

2、单选题：
‍当器件开关频率较高时，功率损耗主要为（）。​
选项：
A: 通态损耗
B: 断态损耗
C: 开关损耗
D:   
答案: 【 开关损耗】

3、单选题：
‌下列关于晶闸管的工作原理，说法正确的是（）。‏
选项：
A: 晶闸管承受正向电压时导通，承受反向电压时关断。
B: 已经导通的晶闸管，当晶闸管阳极与阴极间承受反向偏置电压时，晶闸管关断。
C: 当晶闸管结温升高时，晶闸管可能会导通。
D: 晶闸管导通后，在晶闸管的门极施加控制信号，可使晶闸管关断。
答案: 【 当晶闸管结温升高时，晶闸管可能会导通。】

4、多选题：
‍下列器件中，属于电力电子半导体器件的有（）。‌
选项：
A: 电子管
B: 闸流管
C: 晶闸管
D: 门极可关断晶闸管
E: 绝缘栅双极型晶体管
答案: 【 晶闸管;
门极可关断晶闸管;
绝缘栅双极型晶体管】

5、多选题：
​下列关于电力电子器件特征的描述，正确的是（）​
选项：
A: 与信息电子技术中的器件相比，电力电子器件处理电功率的大小不同。
B: 一般都工作在开关状态，也可工作在放大状态。
C: 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。
D: 在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器。
E: 导通、关断以及过程中存在损耗。
答案: 【 与信息电子技术中的器件相比，电力电子器件处理电功率的大小不同。;
电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。;
在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器。;
导通、关断以及过程中存在损耗。】

6、多选题：
‌电力电子系统主要由（）组成。​
选项：
A: 控制电路
B: 驱动电路
C: 主电路
D: 检测电路
答案: 【 控制电路;
驱动电路;
主电路;
检测电路】

7、多选题：
‏下列器件中，属于全控型器件的有（）。​
选项：
A: 晶闸管SCR
B: 门极可关断晶闸管GTO
C: 电力晶体管GTR
D: 电力场效应晶体管POWER MOSFET
E: 绝缘栅双极晶体管IGBT
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO;
电力晶体管GTR;
电力场效应晶体管POWER MOSFET;
绝缘栅双极晶体管IGBT】

8、填空题：
‌（）使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。‍
答案: 【 电导调制效应】

9、填空题：
‌从内部结构上看，晶闸管是由PN结构成的（）半导体开关器件。 （？端？层，填汉字）​
答案: 【 三端四层】

10、填空题：
‎额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流有效值为 （） A。​
答案: 【 157】

【课前测试】第2次课（补充）

1、单选题：
‎在通常情况下，电力电子器件的功率损耗主要为（）‌
选项：
A: 通态损耗
B: 断态损耗
C: 开通损耗
D: 关断损耗
答案: 【 通态损耗】

2、单选题：
​当器件开关频率较高时，功率损耗主要为（）‏
选项：
A: 通态损耗
B: 断态损耗
C: 开关损耗
D:  
答案: 【 开关损耗】

3、单选题：
‏下列关于晶闸管的工作原理，说法正确的是（）​
选项：
A: 晶闸管承受正向电压时导通，承受反向电压时关断。
B: 已经导通的晶闸管，当晶闸管阳极与阴极间承受反向偏置电压时，晶闸管关断。
C: 当晶闸管结温升高时，晶闸管可能会导通。
D: 晶闸管导通后，在晶闸管的门极施加控制信号，可使晶闸管关断。
答案: 【 当晶闸管结温升高时，晶闸管可能会导通。】

4、多选题：
‏下列器件中，属于电力电子半导体器件的有（）​
选项：
A: 电子管
B: 闸流管
C: 晶闸管
D: 门极可关断晶闸管
E: 绝缘栅双极晶体管
答案: 【 晶闸管;
门极可关断晶闸管;
绝缘栅双极晶体管】

5、多选题：
‏下列关于电力电子器件特征的描述，正确的是（）​
选项：
A: 与信息电子技术中的器件相比，电力电子器件处理电功率的大小不同。
B: 一般都工作在开关状态，也可工作在放大状态。
C: 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。
D: 在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器。
E: 导通、关断以及过程中存在损耗。
答案: 【 与信息电子技术中的器件相比，电力电子器件处理电功率的大小不同。;
电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。;
在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器。;
导通、关断以及过程中存在损耗。】

6、多选题：
‏电力电子系统主要由（）组成。‎
选项：
A: 控制电路
B: 驱动电路
C: 主电路
D: 检测电路
答案: 【 控制电路;
驱动电路;
主电路;
检测电路】

7、多选题：
‏下列器件中，属于全控型器件的有（）‎
选项：
A: 晶闸管
B: 门极可关断晶闸管GTO
C: 电力晶体管GTR
D: 电力场效应晶体管POWER MOSFET
E: 绝缘栅双极晶体管IGBT
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO;
电力晶体管GTR;
电力场效应晶体管POWER MOSFET;
绝缘栅双极晶体管IGBT】

8、填空题：
‌（）使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。‌
答案: 【 电导调制效应】

9、填空题：
‎从内部结构上看，晶闸管是由PN结构成的（）半导体开关器件。（[空1] 端 [空2]层，填写汉字。）‌
答案: 【 三端四层】

10、填空题：
‏额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流有效值为（）A。​
答案: 【 157】

【课前测试】第3次课

1、单选题：
‎下列关于晶闸管的基本特性，说法正确的是（）‍
选项：
A: 若要使已经导通的晶闸管关断，只能给晶闸管的阳极和阴极间施加反向关断电压。
B: 晶闸管导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至维持电流以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。
C: 当晶闸管的门极接受到触发信号后，晶闸管会瞬时导通。
D: 在正向阻断恢复时间内，如果给晶闸管施加正向电压，如果没有门极驱动信号，晶闸管不会导通。
答案: 【 晶闸管导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至维持电流以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。】

2、多选题：
‍与以普通晶闸管为主功率器件的电力电子变流装置相比，以GTO为主功率器件的电力电子变流装置具有如下优点：​
选项：
A: 电压、电流容量比普通晶闸管更大
B: 主电路元件少，结构简单
C: 不需强迫换流环节，损耗减少，装置效率高
D: 易实现脉宽调制，可改善输出波形
答案: 【 主电路元件少，结构简单;
不需强迫换流环节，损耗减少，装置效率高;
易实现脉宽调制，可改善输出波形】

3、多选题：
‎下列关于GTO的工作原理，说法正确的是（）​
选项：
A: GTO的导通过程与普通晶闸管时一样的，有同样的正反馈过程，导通时饱和程度也相同。
B: GTO关断时其内部也形成了强烈的正反馈过程导致其退出饱和而关断。
C: GTO的开通过程比普通晶闸管更快。
D: GTO的门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，储存时间ts越长。
答案: 【 GTO关断时其内部也形成了强烈的正反馈过程导致其退出饱和而关断。;
GTO的开通过程比普通晶闸管更快。】

4、判断题：
‍晶闸管施加反向电压时，其伏安特性类似二极管的反向特性。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‌实际选用晶闸管时，实际电流波形的平均值应按照有效值相等发热相同的原则折合成通态平均电流选择晶闸管。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‎门极可关断晶闸管(GTO)是晶闸管的一种派生器件，因此，与晶闸管类似，也是一种半控型的器件。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‏GTO的开通时间指延迟时间与上升时间之和，GTO的关断时间指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
​快速晶闸管的关断时间约为数十微秒,甚至10微秒左右。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‏当逆导晶闸管承受反向电压时，会被击穿导通。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、判断题：
‌GTO的电流关断增益βoff一般只有5左右，很小，说明其关断能力强。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

11、判断题：
‏GTO的额定电流的规定与普通晶闸管相同。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‍GTO的额定电流的规定与普通晶闸管相同。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、填空题：
‎与普通晶闸管相比，GTO能够关断主要是因为采用了（）结构，但，也正是因为采用了这种结构，使得GTO更易失效。‎
答案: 【 多元集成】

14、填空题：
‍对于门极可关断晶闸管来说，我们希望电流关断增益βoff越（）越好。（大？小？）‌
答案: 【 大】

【课前测试】第4次课

1、单选题：
‌功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(   )。‏
选项：
A: 一次击穿
B: 二次击穿
C: 临界饱和
D: 反向截止
答案: 【 二次击穿】

2、单选题：
‎电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。‏
选项：
A: 正
B: 负
C: 正、负
D: 负、正
答案: 【 正】

3、多选题：
‍下列器件中，属于电流型器件的是（）‏
选项：
A: SCR
B: GTO
C: GTR
D: POWER MOSFET
答案: 【 SCR;
GTO;
GTR】

4、多选题：
‏GTR的共发射极接法时输出特性分为截止区、放大区和饱和区三个区域，在电力电子技术中，GTR能够工作的区域是（）‎
选项：
A: 截止区
B: 放大区
C: 饱和区
D:  
答案: 【 截止区;
放大区】

5、判断题：
‍电力MOSFET是一种只有一种载流子参与单导的单极型电压控制的全控器件，分为结型和绝缘栅型两类，常说电力MOS管，指的是绝缘栅管。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
​电力MOS管栅源间绝缘层很薄，使用时｜UGS｜≤20V，否则导致绝缘层击穿损坏。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‍电力MOS管是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所以驱动功率小驱动电路简单。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‌GTR和GTO是双极结型电流驱动器件，存在电导调制效应，故其导通电阻小通流能力很强，但开关速度较低，驱动功率大驱动电路复杂。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、填空题：
​电力晶体管GTR反映基极电流对集电极电流的控制能力的参数是（）（填写文字）​
答案: 【 电流放大倍数】

10、填空题：
‌用来标称GTO额定电流的参数为（）。（填写文字）​
答案: 【 最大可关断阳极电流】

【课前测试】第5次课

1、多选题：
​IGBT是下列哪种器件组成的复合管（）。‏
选项：
A: SCR
B: GTO
C: GTR
D: MOS
答案: 【 GTR;
MOS】

2、多选题：
‎下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）‎
选项：
A: IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。
B: IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。
C: 由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。
D: 当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。
答案: 【 IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。;
IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。;
由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。;
当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。】

3、多选题：
‎IGBT输出特性分为正向阻断区、有源区和饱和区这三个区域，IGBT工作时，在（）和（）之间互相转换。‏
选项：
A: 正向阻断区
B: 有源区
C: 饱和区
D: 放大区
答案: 【 正向阻断区;
饱和区】

4、多选题：
‍MCT是下列哪种器件组成的复合管（）。‍
选项：
A: SCR
B: GTO
C: GTR
D: MOS
答案: 【 SCR;
MOS】

5、多选题：
‏IGCT是下列哪种器件组成的复合管（）。‍
选项：
A: SCR
B: GTO
C: GTR
D: MOS
答案: 【 GTO;
MOS】

6、多选题：
​下列关于电流型器件和电压型器件的说法，正确的是（）‏
选项：
A: 电流型器件多属于双极型器件，有电导调制效应，通流能力很强
B: 电流型器件开关速度比较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂
C: 电压型器件多属于单极型器件，电压驱动
D: 电压型器件开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单
E: 电压型器件通流能力低，导通后通态压降大
答案: 【 电流型器件多属于双极型器件，有电导调制效应，通流能力很强;
电流型器件开关速度比较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂;
电压型器件多属于单极型器件，电压驱动;
电压型器件开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单;
电压型器件通流能力低，导通后通态压降大】

7、判断题：
​IGBT中由于有双极型晶体管存在，带来了电导调制效应使IGBT导通电阻变小，但也引入了少数载流子储存现象，使IGBT开关速度低于电力MOS管。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‍功率模块就是按照典型电力电子电路所需的拓扑结构，将多个相同的电力电子器件或多个相互配合使用的不同电力电子器件封装在一个模块中，优点是缩小装置体积、降低成本、提高了可靠性，减小线路电感，简化了对保护和缓冲电路要求。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‎功率集成电路面临技术难点是高压电路之间的绝缘和温升与散热问题。功率集成电路实现了电能和信息的集成，或为机电一体化的理想接口，具有广阔应用前景。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、填空题：
‏由于IGBT内部寄生一个NPN管，该管和PNP管结合形成了一个晶闸管，当IGBT集成电极电流上升到一定值使PNP工作，导致栅极失去对集电极电流的控制作用现象称IGBT的（）。‌
答案: 【 擎住效应