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免费中国大学MOOC 模拟电子技术(孙莉莉)(成都理工大学工程技术学院)1453092189 最新慕课答案-聚合答案库
作者:20782912023-03-04 00:00 点赞 收藏 热度:24

模拟信号的特点

1、单选题:
‌模拟信号是‍
选项:
A: 连续的
B: 离散的
C: 不确定
D: 恒定的
答案: 【 连续的

2、单选题:
‍作为放大器件的是​
选项:
A: 电阻
B: 电容
C: 二极管
D: 三极管
答案: 【 三极管

3、单选题:
‏二极管的最主要的特征是‎
选项:
A: 单向导电性
B: 具有阈值电压
C: 可以发光
D: 可以稳压
答案: 【 单向导电性

第一讲(2)第1章半导体二极管及其应用、第2章半导体晶体管及放大电路基础

第1章半导体二极管及其应用自测题

1、单选题:
‌本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        ‏
选项:
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无关
答案: 【 等于

2、单选题:
​在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于               。‍
选项:
A: 材料
B: 温度
C: 压力
D:  掺杂浓度
答案: 【  掺杂浓度

3、单选题:
‌在掺杂半导体中,少子的浓度受           的影响很大。​
选项:
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 压力
答案: 【 温度

4、单选题:
‌在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度              。‎
选项:
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 越低

5、单选题:
‍N型半导体               。​
选项:
A: 就是空穴型半导体
B: 带正电
C: 带负电
D: 呈电中性
答案: 【 呈电中性

6、单选题:
‎温度升高,N型半导体的电阻率               。‏
选项:
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将增大

7、单选题:
‎环境温度升高,二极管的反向饱和电流             ‍
选项:
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将增大

8、单选题:
‍普通二极管的正向电压降温度系数                   。‏
选项:
A: 为正
B: 为负
C: 为零
D: 无法判断
答案: 【 为负

9、单选题:
‏确保二极管安全工作的两个主要参数分别是           和          。​
选项:
A: UD ,IF 
B: IF ,IS 
C: UD,UR
D: IF,UR
答案: 【 IF,UR

10、单选题:
‌对于稳定电压为10V的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压          。‌
选项:
A: 将升高
B: 将降低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将升高

11、单选题:
‌二极管的反偏电压升高,其结电容          。‎
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 减小

12、单选题:
‏硅二极管的死区电压约为          。‎
选项:
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D: 0.5V
答案: 【 0.5V

13、单选题:
‌二极管的伏安特性表示式为            。‎
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【 

14、单选题:
‍已知二极管的静态工作点UD和ID,则其静态电阻为          。‎
选项:
A: UD/ID
B: UT/ID
C: UD/IS
D: UT/IS
答案: 【 UD/ID

15、单选题:
‎已知二极管的静态工作点UD和ID,则其动态电阻为             。‎
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【 

16、单选题:

某硅二极管在正向电压时,正向电流。若增大到0.66V,则电流          

‏选项:
A: 11mA
B: 20mA
C: 500mA
D: 100mA
答案: 【 100mA

第二讲第2章半导体晶体管及放大电路基础

第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(1)

1、单选题:
‍晶体管能够放大的外部条件是             。‍
选项:
A: 发射结正偏,集电结正偏
B: 发射结反偏,集电结反偏
C: 发射结正偏,集电结反偏
D: 发射结反偏,集电结正偏
答案: 【 发射结正偏,集电结反偏

2、单选题:
‍当晶体管工作于饱和状态时,其             。​
选项:
A: 发射结正偏,集电结正偏
B: 发射结反偏,集电结反偏
C: 发射结正偏,集电结反偏
D: 发射结反偏,集电结正偏
答案: 【 发射结正偏,集电结正偏

3、单选题:
​硅晶体管的死区电压约为             。‏
选项:
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D:  0.5V
答案: 【  0.5V

4、单选题:
‌锗晶体管的导通压降|UBE|约为             。‍‌‍
选项:
A: 0.1V
B: 0.3V
C: 0.5V
D: 0.7V
答案: 【 0.3V

5、单选题:
‌测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的b为        。‏
选项:
A: 40
B: 50
C: 60
D: 100
答案: 【 60

6、单选题:
‍温度升高,晶体管的电流放大系数b          。​
选项:
A: 无法判断
B: 不变
C: 减小
D: 增大
答案: 【 增大

7、单选题:
‎温度升高,晶体管的管压降|UBE|          。‏
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 减小

8、单选题:
‍温度升高,晶体管输入特性曲线         。‍
选项:
A: 右移
B: 左移
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 左移

9、单选题:
​温度升高,晶体管输出特性曲线的间隔    &nb

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