单元测验——第1讲

1、单选题：
一种有效而直观的测量有效质量的实验方法是？‌
选项：
A: 回旋共振实验
B: 霍尔效应实验
C: 磁阻效应实验
D: 热电效应实验
答案: 【 回旋共振实验】

2、单选题：
有效质量的意义在于？‎
选项：
A: 概括了半导体内部势场对电子的作用。
B: 概括了共价键对电子的作用。
C: 概括了导带对电子的作用。
D: 概括了杂质对电子的作用。
答案: 【 概括了半导体内部势场对电子的作用。】

3、单选题：
关于导带中的电子，以下描述正确的是？‎
选项：
A: 准自由运动的电子。
B: 受共价键束缚的电子。
C: 受杂质束缚的电子。
D: 受价带束缚的电子。
答案: 【 准自由运动的电子。】

4、单选题：
在能带底部附近，电子的有效质量为？‎
选项：
A: 正
B: 负
C: 不确定
D: 可正可负。
答案: 【 正】

5、单选题：
Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？‍
选项：
A: [100]及其等价方向；k=0处
B: k=0处；k=0处
C: [111]及其等价方向；k=0处
D: [100]及其等价方向；[111]及其等价方向
E:  [110]及其等价方向；k=0处
答案: 【 [100]及其等价方向；k=0处】

6、单选题：
以下材料中，属于直接禁带半导体的是？‏
选项：
A: GaAs
B: Si
C: Ge
D: GaP
答案: 【 GaAs】

7、单选题：
什么是本征半导体？‎
选项：
A: 没有杂质，没有缺陷的半导体。
B: 没有杂质的纯净半导体。
C: 没有缺陷的结构完美的半导体。
D: 杂质和缺陷数量很多的半导体。
答案: 【 没有杂质，没有缺陷的半导体。】

8、单选题：
本征半导体的特征是？‍
选项：
A: 导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
B: 导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C: 导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
D: 电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 【 导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。】

9、单选题：
Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？‌
选项：
A: [111]及其等价方向；k=0处
B:  [110]及其等价方向；k=0处
C: [100]及其等价方向；k=0处
D: k空间原点；k空间原点
答案: 【 [111]及其等价方向；k=0处】

10、单选题：
GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？​
选项：
A:  k=0处；k=0处
B: [111]方向；k=0处
C:  k=0处；[111]方向
D: [100]方向；k=0处
E: k=0处；[100]方向
答案: 【  k=0处；k=0处】

11、单选题：
关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？‎
选项：
A: 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。
B: 半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
C: 半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
D: 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
答案: 【 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。】

12、单选题：
本征激发指的是哪种电子跃迁？‎
选项：
A: 价带的电子跃迁到导带。
B: 导带的电子跃迁到价带。
C: 施主态上的电子跃迁到导带。
D: 受主态上的电子跃迁到价带。
答案: 【 价带的电子跃迁到导带。】

13、单选题：
本征激发的结果是？‍
选项：
A:  产生一组电子——空穴对。
B: 仅产生一个导带的电子。
C: 仅产生一个价带的空穴。
D: 不产生电子和空穴。
答案: 【  产生一组电子——空穴对。】

14、多选题：
关于价带中的空穴，以下描述正确的是？‎
选项：
A: 空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。
B: 空穴常出现在价带顶。
C: 空穴的有效质量为正。
D: 空穴常出现在导带底部。
E: 空穴的有效质量为负。
答案: 【 空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。;
空穴常出现在价带顶。;
空穴的有效质量为正。】

15、多选题：
以下材料中，属于间接禁带半导体的是？‏
选项：
A: Si
B: Ge
C: GaAs
D: InP
答案: 【 Si;
Ge】

单元测验——第3讲

1、单选题：
对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：‏
选项：
A: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
答案: 【 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动】

2、单选题：
对于非简并半导体，导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为：​
选项：
A: 抛物线性关系
B: 线性关系
C: 幂函数关系
D: 指数关系
答案: 【 抛物线性关系】

3、单选题：
本征半导体的电中性方程为：‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

4、单选题：
‏既有施主杂质又有受主杂质的半导体的电中性方程为：‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

5、单选题：
本征半导体的基本特征为：‎
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

6、单选题：
n型半导体的基本特征为：‍
选项：
A:
B: