MOS场效应管的工作原理和特性参数

1、单选题：
‏有关场效应管，以下说法错误的是（　）‍‏‍
选项：
A: 场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电
B: 在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制
C: 在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系
D: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
答案: 【 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小】

P–N结

1、判断题：
‌P–N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。‌‌‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎P–N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。‌‎‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

半导体物理基础

1、判断题：
‎N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
‎载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。‌‎‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

双极型三极管和场效应管的低频小信号模型

1、判断题：
​降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。‏​‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
​rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为  厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。‍​‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管工作原理

1、判断题：
‏晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。‏‏‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：

​

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例

1、判断题：

测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,

‌

且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,

‌

‌U3对应的是基极b。

‌

‌

‌选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管特性曲线

1、判断题：
‌晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。​‌​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的‎‎控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。‎‎‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

各类场效应管对比双极型三极管与场效应管对比

1、单选题：

‌

‍选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOSFET
D:   P沟道耗尽型MOSFET
答案: 【 N沟道增强型MOSFET】

常用半导体器件原理、特性及参数

1、单选题：
‌N 型半导体是在本征半导体内掺入‍
选项：
A: 三价元素, 如硼等
B: 四价元素, 如锗等
C: 五价元素, 如磷等 
D: 二价元素
答案: 【 五价元素, 如磷等 】

2、单选题：
‍双极型晶体三极管工作在放大区的条件是‎
选项：
A: e结正偏, c结正偏
B: e结反偏, c结正偏
C: e结正偏, c结反偏
D: e结反偏, c结反偏
答案: 【 e结正偏, c结反偏】

3、单选题：

测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以

‍

‏及各管脚为

‍

‏

‍选项：
A: 锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B: 锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D: 硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
答案: 【 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c】

4、单选题：

​测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为

‎

​

‎选项：
A:

NPN管

B: PNP管
C: PNP管
D: NPN管
答案: 【 

NPN管

】

5、单选题：

‌某管特性曲线如下图所示, 则该为

​

‌

​选项：
A: P沟道增强型MOS场效应管
B: N沟道结型场效应管
C: N沟道耗尽型MOS场效应管
D: N沟道增强型MOS场效应管
答案: 【 N沟道增强型MOS场效应管】

6、判断题：
‎N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‎漂移电流与电场强度成正比‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
​扩散电流与载流子浓度梯度成正比‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：

​二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管

‏

​

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
​本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

11、判断题：
‏施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

12、判断题：
‍二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2–0.3V‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
​二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
‍只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

15、判断题：
二极管最重要的特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

16、判断题：
​PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

17、判断题：
‌温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

18、判断题：

‏稳压管电路如下图, 若Ui=20V, RL=250Ω, 稳压管击穿电压UZ=10V, 限流电阻R=100Ω, 则稳压管流过的工作电流为60mA

​

‏

​选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19、判断题：
‏理想二极管的正向导通电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

20、判断题：
‎双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、判断题：
‏场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‏双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

23、判断题：
‌结型场效应管的漏极与源极可互换使用‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

24、判断题：
‍场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

25、判断题：
‏无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

26、判断题：
‎场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

27、判断题：
‍在相同工艺和外加电压情况下, MOS场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L越大),漏极电流将越大, 跨导gm也越大‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

28、判断题：
MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

晶体二极管特性及参数

1、判断题：
‎理想二极管等效于一个理想开关, 正偏导通时相当于短路，反偏截止时相当于开路。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

稳压二极管及其他二极管

1、判断题：
‏稳压二极管的工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。‌‏‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‌某稳压二极管的允许功耗为300mW, 稳定电压为6V, 则稳压管最大允许的反向电流为50mA。‍‌‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

结型场效应管的工作原理和特性参数

1、判断题：

‏

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

共基放大器性能分析及三种组态性能对比

1、判断题：
​三种组态放大器中, 唯有共射放大器的输出信号与输入信号相位相反, 共集和共基放大器的输出与输入信号是同相的‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‍三种组态放大器中,共集的输出电阻最小, 带负载能力最强​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

共射、共集、共基放大器分析与对比

1、单选题：
有关晶体管基本放大器，以下说法错误的是（　）‌
选项：
A: 电压放大倍数和输入电阻可能和负载电阻有关
B: 输出电阻可能和信号源内阻有关，和负载电阻无关
C: 输入电压从基极引入时，集电极的输出电压反相，发射极的输出电压同相
D: 共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率
答案: 【 共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率】

2、单选题：

‎带负反馈的共发射极放大器如图所示，晶体管的rbe = 2 kW，b = 100。电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻是（　）

‎

‎

‎选项：
A: Au = – 0.49，Ri = 20.3 kW，Ro = 10 kW
B: Au = – 250，Ri = 20.8 kW，Ro = 10 kW
C: Au = – 0.49，Ri = 2 kW，Ro = 5 kW
D: Au = -250，Ri = 20.8 kW，Ro = 5 kW
答案: 【 Au = – 0.49，Ri = 20.3 kW，Ro = 10 kW】

共射放大器性能分析

1、判断题：
‌共射放大器放大倍数与集电极交流负载电阻(RC//RL)成正比‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎共射放大器放大倍数与β值成正比‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‏共射放大器放大倍数大小与工作点电流ICQ无关‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

共漏放大器和共栅放大器分析

1、判断题：
‌因为场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻完全取决于偏置电路的电阻‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：

‏漏放大器的输出电阻

‏

‏

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

共集放大器性能分析

1、判断题：
共集放大器输出电压太小与输入信号差不多, 而且相位相同, 所以共集放大器又称射极跟随器‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎在共集放大器中, 将发射极电阻拆合到基极去要乘以(1+β), 反之, 将基极电阻拆合到发射极去要除以(1+β)。原因是发射极电流是基极的(1+β)倍‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

典型放大电路结构特点,三种阻态放大器电路

1、判断题：
‍放大器待放大信号必须要加到基极和发射极回路, 因为发射结电压对集电极电流有很强的控制能力‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
​三种组态电路结构的不同点在于信号的输入、输出回路的不同‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管和场效应管放大器

1、单选题：

‏放大电路如下图如示, 则该放大器增益近似等于

‌

‏

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：

​放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于

‎

​

‎选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、单选题：

‌放大电路如下图如示, 则该放大器输入电阻为

‌

‌

‌选项：
A:
B:
C:
D: