第一章半导体的晶体结构与价键模型测试题

1、判断题：
‏晶体是指固体材料中的原子无规律的周期性排列。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
‏非晶态固体材料中的原子有规律地长程有序地排列，但在几个原子的范围内保持着有序性，或称为短程有序。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‍理想晶体由相同的结构单元在空间无限重复排列而构成。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‌密勒指数是描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‏原子最外层的电子称为芯电子。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
​共价键是相邻原子间通过共用自旋方向相同的电子对与原子核间的静电作用形成的。 ​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
​共价键成键的条件是成键原子得失电子的能力差别较大。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‍共价键的数目遵从8-N原则。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‍半导体中有两种载流子。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
​ C、Si、Ge晶体都属于闪锌矿型结构。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第二章半导体的电子结构测试题

1、单选题：
‎德布罗意（De Broglie）波长是普朗克常数（Planck）和粒子的（   ）的比值。‍
选项：
A: 动能
B: 动量
C: 速度
D: 势能
答案: 【 动量】

2、单选题：
海森伯堡‍测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（    ）动量。‎‎‍‎
选项：
A: ‍‍动能和动量
B: 势能和动量
C: 坐标和动量 
D: 势能和坐标
答案: 【 坐标和动量 】

3、单选题：
量子化能级是（    ）的能级。‍‍​‍
选项：
A: 分立
B: 连续
C: 很多
D: 很少
答案: 【 分立 】

4、单选题：
波粒二象性是指微观粒子有时表现为（    ），而电磁波有时表现为粒子性。‎‎‍‎
选项：
A: 高温性
B: 低温性 
C: 波动性  
D: 粒子性
答案: 【 波动性  】

5、单选题：
光照产生的载流子叫（    ）载流子。‎
选项：
A: 光生
B: 电生
C: 热生 
D: 冷生
答案: 【 光生 】

6、单选题：
热激发产生的载流子叫（    ）载流子。‍
选项：
A: 光生
B: 电生
C: 热生 
D: 冷生
答案: 【 热生 】

7、单选题：
空带上能量最低的允带称为（    ）。‏
选项：
A: 价带
B: 导带
C: 禁带
D:  能带
答案: 【 导带】

8、单选题：
价电子所在的允带称为（    ）。‏
选项：
A: 价带
B: 导带
C: 禁带
D: 能带
答案: 【 价带】

9、单选题：
导带底与价带顶之间的能量区域称为（    ）。​
选项：
A: 价带
B: 导带 
C: 禁带
D: 能带
答案: 【 禁带】

10、单选题：
禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（    ）。‏
选项：
A: 和
B: 差
C: ‍积
D: 商
答案: 【 差】

11、单选题：
载流子跃迁前后在（    ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。‌
选项：
A: 导带底
B: 导带顶
C: 禁带中
D: 禁带外
答案: 【 导带底】

12、单选题：
载流子跃迁前后在（    ）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。​
选项：
A: 导带底 
B:  导带顶
C: 禁带中
D: 禁带外
答案: 【 导带底 】

半导体中的载流子的定性描述”测试题

1、单选题：
  在纯Si中掺入下列（      ）元素，Si将变为n型半导体。‌‌‌‌
选项：
A: Ca
B: As
C: Ga
D: C
答案: 【 As】

2、单选题：
‌ 在纯Ge中掺入下列（       ）元素，Ge将变为p型半导体。​
选项：
A: In
B: Si
C: Br
D: N
答案: 【 In】

3、单选题：
‏某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半导体主要是（    ）导电。‏
选项：
A: 电子 
B: 空穴
C: 声子
D: 不确定
答案: 【 空穴】

4、单选题：
‎对应于n型半导体，电子为 （      ）‎
选项：
A: 多子
B: 少子
C: 中子
D: 不确定
答案: 【 多子】

5、单选题：
 某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，有效空穴浓度为 （     ）。‎‎‎
选项：
A: 2×10^17cm^-3 
B: 3×10^16cm^-3 
C: 1.7×10^17cm^-3
D: 不确定
答案: 【 1.7×10^17cm^-3】

6、单选题：
对应于直接能隙半导体，禁带宽度越大，发光波长越（     ）‍‍‍
选项：
A: 长
B: 短
C: 中间值
D: 不确定
答案: 【 短】

7、单选题：
​对应于p型半导体，平衡状态时，多子、少子和本征载流子之间相互关系为（     ）‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

8、多选题：
‍杂质能级的作用包括以下（        ）‍
选项：
A: 提供导电载流子
B: 复合中心
C: 散射中心
D: 陷阱
答案: 【 提供导电载流子;
复合中心;
陷阱】

9、多选题：
​根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（       ）‌​‌
选项：
A: 本征半导体
B: n型半导体
C: p型半导体
D: 高度补偿半导体
答案: 【 n型半导体;
p型半导体;
高度补偿半导体】

10、多选题：
​对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（      ）‎
选项：
A: 掺入n型杂质
B: 掺入p型杂质
C: 本征激发
D: 引入深能级
答案: 【 掺入p型杂质;
本征激发】

半导体中载流子的定量统计描述”测试题

1、单选题：
‌ T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（     ）‌
选项：
A: 增加
B: 下降
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 增加】

2、单选题：

‌根据费米分布函数，电子占据（）能级的几率（     ）

‍选项：
A: 等于空穴占据（）能级的几率
B: 等于空穴占据（）能级的几率
C: 大于电子占据的几率
D: 大于空穴占据的几率

答案: 【 等于空穴占据（）能级的几率】

3、单选题：

​对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度升高而（   ）

‏选项：
A: 单调上升
B: 单调下降
C: 经过一极小值趋近
D: 经过一极大值趋近