第1单元随堂测试：半导体导电机理

1、单选题：
在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度？‎A、大于，   B、小于 ，  C、等于，  D、不确定‎‏‎
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 C】

2、单选题：
试判断当温度升高时，关于本征半导体中载流子的变化的几种说法是否正确。​（1）自由电子个数增加，空穴个数基本不变；​（2）自由电子个数基本不变，空穴个数基本增加；​（1）自由电子和空穴的个数都增加，且它们增加的数量相等；​（1）自由电子和空穴的个数都基本不变。​‍​
选项：
A: （1）对（2）错（3）错（4）错
B: （1）错（2）对（3）错（4）错
C: （1）错（2）错（3）对（4）错
D: （1）错（2）错（3）错（4）对
答案: 【 （1）错（2）错（3）对（4）错】

3、单选题：
N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。‎A、带负电的电子，       B、带正电的离子，  ‎C、三价元素，如硼等 ，  D、五价元素，如磷等‎‌‎
选项：
A: AB
B: BC
C: CD
D: DC
答案: 【 DC】

4、单选题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。​A、温度，   B、掺杂工艺，  C、杂质浓度​​​
选项：
A: AB
B: AC
C: AD
D: CA
答案: 【 CA】

第2单元随堂测试：PN结及其特性

1、单选题：
当PN结外加正向电压时，扩散电流    漂移电流，耗尽层    ；当PN结外加反向电压时，扩散电流    漂移电流，耗尽层    。‏A、大于，  B、小于，  C、等于，   D、变宽，  E、变窄，  F、不变‏‌‏
选项：
A: ABEF
B: ADCF
C: AEBD
D: AFCE
答案: 【 AEBD】

2、判断题：
​PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第3单元随堂测试：二极管的伏安特性和主要参数

1、单选题：
在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。​A、增大 ，        B、减小，     C、不变​‌​
选项：
A: AB
B: AC
C: BC
D: CA
答案: 【 AB】

2、单选题：

在如图所示的电路中，当V＝6V时，测得I＝2mA，。则当V降至3V时，则I将为____。

‏

‏

A、小于1mA ，    B、1mA，   C、大于1mA，但小于2mA ，   D、2mA

‏

‏选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 A】

第5单元随堂测试：二极管基本电路

1、单选题：

设VD1、VD2的正向压降为0.3V，试分析在某种U1=3V、U2=0V组态下，VD1、VD2是导通还是截止，并求UO的值。

‎

‎

‎

​

‎选项：
A: VD1导通，VD2导通，Uo=0.3V
B: VD1导通，VD2截止，Uo=0.3V
C: VD1截止，VD2导通，Uo=0.3V
D: VD1截止，VD2截止，Uo=3.3V
答案: 【 VD1截止，VD2导通，Uo=0.3V】

2、判断题：

已知电路和输入电压的波形如图所示：

‌

‌

设二极管特性为理想的，请问下图的输出电压波形正确吗？

‌

‌

‏

‌选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第6单元随堂测试：稳压二极管

1、单选题：

已知电路中稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为6V和9V，求电压UO的值。

‌

‌

​

‌选项：
A: （a）Uo=3V（b）Uo=3V
B: （a）Uo=3V（b）Uo=0V
C: （a）Uo=0V（b）Uo=3V
D: （a）Uo=0V（b）Uo=0V
答案: 【 （a）Uo=0V（b）Uo=3V】

第1单元随堂测试：结型场效应管的工作原理

1、单选题：
‍场效应管属于____（A、电压，   B、电流）控制型元件，栅极的____（A、电压，       B、电流）几乎等于零。​‍​
选项：
A: AA
B: BB
C: AB
D: BA
答案: 【 AB】

2、判断题：

一个JFET的转移特性曲线如图所示，则它是N沟道JFET。

​

​

‍

​选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第3单元随堂测试：场效应管的参数

1、判断题：

‍场效应管的跨导＝/

‌选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第4单元随堂测试：场效应管放大电路基础

1、单选题：
​某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V时，输出电压为 2V；输入电压为 0.1V时，输出电压为 9V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为________________。‌​A、90，       B、－35，       C、35 ，       D、30 ，      E、20‌​‌
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 B】

2、单选题：
‌放大电路中的静态分量是指__________，动态分量是指____。‍‌A、直流电源所提供的电压、电流 ， ‍‌B、电压、电流中不随输入信号变化的部分， ‍‌C、电压、电流中随输入信号变化的部分 ， ‍‌D、正弦交流输入、输出信号‍‌‍
选项：
A: AB
B: BC
C: CD
D: DA
答案: 【 BC】

第5单元随堂测试：场效应管的直流偏置电路

1、单选题：

​场效应管放大电路某常用的栅压偏置电路如图所示，说明该电路可用于哪些类型场效应管

​

​A、结型，   B、增强型MOS，   C、耗尽型MOS，    D、前述全部三种类型的场效应管  

​

​

​

​

​选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 C】

第1单元随堂测试：场效应管工作状态分析

1、单选题：

放大电路及晶体管输出特性如图所示。设晶体管的UBEQ＝0.7V，UCES=0.5V，电容容量足够大，对交流电路可视为短路。试用图解法确定静态时的ICQ和UCEQ。

​

​

‎

​选项：
A: ICQ=0.5mAUCEQ=12.5V
B: ICQ=1mAUCEQ=10V
C: ICQ=1.5mAUCEQ=7.5V
D: ICQ=2mAUCEQ=5V
答案: 【 ICQ=2mAUCEQ=5V】

2、判断题：

‎试判断图示放大电路中的PMOS管是否能正常工作？

‏

‎

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第2单元随堂测试：结型场效应管放大电路动态分析-图解法

1、单选题：

在图示放大电路中，当输入一正弦电压后，输出电压顶部出现削平失真，说明管子进入了____（A、夹断区，  B、可变电阻区）为了减小失真程度应增大____。

‎

（A、，         B、）

‎

‎

‏

‎

‏

‎选项：
A: AA
B: BB
C: AB
D: BA
答案: 【 AA】

2、单选题：

在图示放大电路中，输入端加上幅度适中的正弦电压，输出电压波形无明显削平失真。如果发生开路，则输出电压幅度将____（A、增大，   B、减小）如果此时输出电压波形出现削平失真，则一定出现在____（A、顶部，   B、底部）

‍

‍

‌

‍选项：
A: AA
B: BB
C: AB
D: BA
答案: 【 AB】

3、判断题：
​放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时，输出信号中出现一定量的谐波成分。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第3单元随堂测试：场效应管的交流小信号模型

1、单选题：

可以粗略估计在图示电路中的输入电阻约为____。

‌

‌

A、1M，   B、100k，      C、3k，   D、100

‌

‌

‎

‌选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 A】

2、单选题：
‌在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降（     ），输出电阻也减小（    ）。​
选项：
A: 对对
B: 对错
C: 错对
D: 错错
答案: 【 错对】

3、单选题：

‌在共源组态和共漏组态两种放大电路中，_____的电压放大倍数比较大，_____的输出电阻比较小。____的输出电压与输入电压是同相的。（A、共源组态，   B、共漏组态）

‏选项：
A: ABA
B: BAB
C: ABB
D: BAA
答案: 【 ABB】

4、判断题：
‏MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‌输出电阻可以定义为输出电压正弦有效值与输出电流正弦有效值之比。（    ）‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】