

1、判断题:
(1) 半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2、判断题:
(2) 半导体中的空穴是电子脱离共价键后留下的空位。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题:
(3) 半导体中的空穴是带正电的离子。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、判断题:
(4) 本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题:
(5) 本征半导体在温度升高后,自由电子和空穴数目都不变。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
6、判断题:
(6) 本征半导体在温度升高后,自由电子和空穴数目都增加,但增量相同。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题:
(7) 掺杂半导体因含有杂质,所以在制造半导体器件时是没有用处的。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
8、判断题:
(8) 在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题:
(9) 由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
10、判断题:
(10) PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
11、判断题:
(11) PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
12、判断题:
(12) 稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题:
(13) 稳压管是一种特殊的二极管,不允许工作在正向导通状态( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
14、判断题:
(14) 由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同,所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题:
(15) 晶体三极管具有两个PN结,因此把两个二极管反向串联起来,也能具有放大能力。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
16、判断题:
(16) 测出某晶体管的共基电流放大系数小于1,表明该管子没有放大能力。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
17、判断题:
(17) h参数模型可以用于输入为小信号、输出为大信号的情况。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
18、判断题:
(18) h参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
19、判断题:
(19) 晶体管的输入电阻
是一个动态电阻,所以它与静态工作点无关。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
20、判断题:
(20) 场效应管的跨导
。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
21、判断题:
(21) 场效应管的跨导![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1、单选题:
在____中,空穴浓度大于电子浓度。
选项:
A: P型半导体
B: 本征半导体
C: N型半导体
D: 不存在
答案: 【 P型半导体】
2、单选题:
在____中,空穴浓度等于电子浓度。
选项:
A: 本征半导体
B: P型半导体
C: N型半导体
D: 不存在
答案: 【 本征半导体】
3、单选题:
在____中,空穴浓度小于电子浓度。
选项:
A: P型半导体
B: N型半导体
C: 本征半导体
D: 不存在
答案: 【 N型半导体】
4、单选题:
N型半导体是在纯净半导体中掺入____。
选项:
A: 带负电的电子
B: 带正电的离子
C: 三价元素,如硼等
D: 五价元素,如磷等
答案: 【 五价元素,如磷等】
5、单选题:
P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
选项:
A: 带负电的电子
B: 带正电的离子
C: 三价元素,如硼等
D: 五价元素,如磷等
答案: 【 三价元素,如硼等】
6、单选题:
在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无规律变化
答案: 【 增大】
7、单选题:
在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而____。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无规律变化
答案: 【 减小】
8、单选题:
当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流。
选项:
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: B和C
答案: 【 大于】
9、单选题:
当PN结外加正向电压时,耗尽层 。
选项:
A: 变窄
B: 变宽
C: 不变
D: 不存在
答案: 【 变窄】
10、单选题:
当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。
选项:
A: 小于
B: 大于
C: 等于
D: A和C
答案: 【 小于】
11、单选题:
当PN结外加反向电压时,耗尽层 。
选项:
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 不存在
答案: 【 变宽】
12、单选题:
已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得
。当R从10kΩ 减小至5kΩ 时,I将____。
![]()
选项:
A: 为2μA 左右
B: 为0.5μA 左右
C: 变化不大
D: 远大于2μA
答案: 【 变化不大】
13、单选题:
已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得
。保持U和R不变,温度下降10℃,I将____。
![]()
选项:
A: 为2μA 左右
B: 为0.5μA 左右
C: 变化不大
D: 远大于2μA
答案: 【 为0.5μA 左右】
14、单选题:
设某二极管在正向电流ID=10mA时,其正向压降UD=0.6V。在UD保持不变的条件下,当二极管的结温升高10℃,ID将____。
选项:
A: 小于10mA
B: 大于10mA
C: 等于10mA
D: 不存在
答案: 【 大于10mA】
15、单选题:
在如图所示的电路中,当
时,测得
,
。当U降至3V时,则I将为____。
![]()
选项:
A: 小于1mA
B: 1mA
C: 大于1mA,但小于2mA
D: 2mA
答案: 【 小于1mA】
16、单选题:
在如图所示的电路中,当
时,测得
,
。保持U不变,温度下降20℃,则
将为____。
![]()
选项:
A: 小于0.7V
B: 0.7V不变
C: 大于0.7V
D: 与温度无关
答案: 【 大于0.7V】
17、单选题:
NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。
选项:
A: 半导体材料硅和锗的不同
B: 掺杂元素的不同
C: 掺杂浓度的不同
D: P区和N区的位置不同
答案: 【 P区和N区的位置不同】
18、单选题:
随着温度升高,晶体管的电流放大系数
____。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 与温度无关
答案: 【 增大】
19、单选题:
随着温度升高,穿透电流
____。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 与温度无关
答案: 【 增大】
20、单选题:
随着温度升高,在
不变的情况下b-e结电压
____。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 与温度无关
答案: 【 减小】
21、单选题:
N沟道和P沟道场效应管的区别在于____。
选项:
A: 衬底材料前者为硅,后者为锗;
B: 衬底材料前者为N型,后者为P型;
C: 导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴。
D: 衬底材料前者为N型,后者也为N型
答案: 【 导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴。】
1、单选题:
放大电路中的静态分量是指__________。
选项:
A: 直流电源所提供的电压、电流
B: 电压、电流中不随输入信号变化的部分
C: 电压、电流中随输入信号变化的部分
D: 正弦交流输入、输出信号
答案: 【 电压、电流中不随输入信号变化的部分】
2、单选题:
放大电路中的动态分量是指____。
选项:
A: 直流电源所提供的电压、电流
B: 电压、电流中不随输入信号变化的部分
C: 电压、电流中随输入信号变化的部分
D: 正弦交流输入、输出信号
答案: 【 电压、电流中随输入信号变化的部分】
3、单选题:
在图示电路中 ,当输入电压为1kHz,5mV的正弦波时,输出电压波形出现底部削平失真。这种失真是__________失真。
![]()
选项:
A: 截止
B: 饱和
C: 交越
D: 频率
答案: 【 饱和】
4、单选题:
在图示电路中 ,当输入电压为1kHz,5mV的正弦波时,输出电压波形出现底部削平失真。为了消除失真,应__________。
![]()
选项:
A: 增大![]()
B: 增大![]()
C: 减小![]()
D: 减小![]()
E: 换用
大的管子
答案: 【 增大![]()
】
5、单选题:
电路如图所示,用直流电压表测出
,可能是因为_____。
![]()
选项:
A:
过大
B:
开路;
C:
开路
D:
过大
答案: 【
开路】
6、单选题:
电路如图所示,用直流电压表测出
,可能是因为_____。
![]()
选项:
A:
过大
B:
短路
C:
过大
D:
过大
答案: 【
过大】
7、单选题:
在共射、共集、共基组态三种放大电路中,只能放大电压、不能放大电流的是____。
选项:
A: 共射组态
B: 共集组态
C: 共基组态
D: 都不能
答案: 【 共基组态】
8、单选题:
在共射、共集、共基组态三种放大电路中,只能放大电流不能放大电压的是____。
选项:
A: 共射组态
B: 共集组态
C: 共基组态
D: 都不能
答案: 【 共集组态】
9、单选题:
在共射、共集、共基组态三种放大电路中,即能放大电压又能放大电流的是____。
选项:
A: 共射组态
B: 共集组态
C: 共基组态
D: 都不能
答案: 【 共射组态】
10、单选题:
为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。电压放大倍数
比较大,应选____。
选项:
A: ![]()
B: ![]()
C: ![]()
D: 不存在
答案: 【
】
11、单选题:
为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。带负载能力强,应选____。
选项:
A: ![]()
B: ![]()
C: ![]()
D: 不存在
答案: 【
】
12、单选题:
为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。电压放大倍数
接近1,并且输出电压与输入电压反相,应选____。
选项:
A: ![]()
B: ![]()
C: ![]()
D: 不存在
答案: 【
】
13、单选题:
直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是( )。
选项:
A: 所放大的信号不同
B: 交流通路不同
C: 直流通路不同
D: 交直流通路都不同
答案: 【 直流通路不同】
14、单选题:
阻容耦合放大电路( )。
选项:
A: 各级静态工作点Q相互独立
B: Q点相互影响
C: 各级Au相互影响
D: 各级Au相互不影响
答案: 【 各级静态工作点Q相互独立】
15、单选题:
阻容耦合放大电路( )。
选项:
A: 温漂小
B: 能放大直流信号
C: 放大倍数稳定
D: 静态工作点相互影响
答案: 【 温漂小】
16、单选题:
阻容耦合放大电路(____) .
选项:
A: 温漂大
B: 不能放大直流信号
C: 放大倍数不稳定
D: 静态工作点相互影响
答案: 【 不能放大直流信号】
17、单选题:
直接耦合与阻容耦合多级放大电路之间主要不同点是(____)。
选项:
A: 所放大的信号不同
B: 交流通路不同
C: 直流通路不同
D: 交直流通路都不同
答案: 【 直流通路不同】
18、单选题:
四种两级放大电路的结构框图如图(a)~(d)所示,在通常电路元器件参数情况下,输出电阻
最小的是 。
![]()
选项:
A: (a)
B: (b)
C: (c)
D: (d)
答案: 【 (b)】
1、判断题:
组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含直流电源( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题:
对于双极型晶体管放大电路来说,发射结必须加上正向偏置,集电结必须加上反向偏置( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题:
对于双极型晶体管放大电路来说,基极电源应为正电源,集电极电源应为负电源( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、判断题:
组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题:
有源器件是指:为满足晶体管正常工作条件,需加上的直流电源( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
6、判断题:
放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比,因此它与静态工作点无关。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题:
图解法适用于高频大信号情况。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
8、判断题:
放大电路如图所示,设电容的容量足够大。因为有
的旁路作用,所以
变化对
、
无影响。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
9、判断题:
放大电路如图所示,设电容的容量足够大。当
增大时,
则减小,因此
减小,
增大。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
10、判断题:
共基放大电路的电流放大倍数小于1。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
11、判断题:
共基放大电路的电流放大倍数小于1,所以不能实现功率放大。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
12、判断题:
图示放大电路具备以下特点:电流放大倍数
小于1。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题:
图示放大电路具备以下特点:没有功率放大能力。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
14、判断题:
图示放大电路具备以下特点:输入电阻很小。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题:
共集放大电路电压放大倍数小于1,所以不能实现功率放大。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
16、判断题:
图示放大电路具备以下特点:电压放大倍数接近于1,负载
是否接通关系不大;( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
17、判断题:
图示放大电路具备以下特点:输出电阻比2kΩ小得多。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
18、判断题:
图示放大电路具备以下特点:输入电阻几乎是
的
倍。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
19、判断题:
场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
20、判断题:
场效应管的输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
21、判断题:
放大电路的直流通路是指输入信号等于零时,由直流电源作用的那一部分电路。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
22、判断题:
场效应管的栅极电流几乎等于零,所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
23、判断题:
场效应管的栅极电流几乎等于零,所以场效应管放大电路的输出电阻也很大。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
24、判断题:
设图示电路中的电容足够大,对交流信号可视为短路。当增大
时,
减小,
随之减小。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
25、判断题:
设图示电路中的电容足够大,对交流信号可视为短路。当增大
时,输入电阻
随之增大。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
26、判断题:
设图示电路中的电容足够大,对交流信号可视为短路。 当减小
时,
增大,跨导和
随之增大。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
27、判断题:
共漏放大电路电压放大倍数总是小于1。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
28、判断题:
共漏放大电路电压放大倍数总是小于1,所以不能实现功率放大。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
29、判断题:
设图示电路中的电容足够大,对交流信号可视为短路。由于
的旁路作用,所以
的增加对
无影响。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
30、判断题:
设图示电路中的电容足够大,对交流信号可视为短路。当
增大时,
减小,跨导
随之减小,因此
减小。( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
31、判断题:
直流放大器必须采用直接耦合方式。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
32、判断题:
直流放大器无法放大交流信号( )。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
1、判断题:
双端输入差分放大电路的共模输入信号等于两输入端信号的平均值。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题:
单端输入差分放大电路的差模输入信号等于该输入端信号的大小。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题:
双端输入差分放大电路的差模输入信号等于两输入端信号的差值。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题:
单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题:
判断下列说法的正确性,设元件参数改变不会使VT1、VT2处于截止或饱和状态。
当Re增大时,则静态工作电流IC1减小( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题:
判断下列说法的正确性,设元件参数改变不会使VT1、VT2处于截止或饱和状态。
当Re增大时,差模电压放大倍数
不变( )
![]()
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题:
判断下列说法的正确性,设元件参数改变不会使VT1、VT
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